Acid etching for accurate determination of dislocation density in GaN

Verfasser / Beitragende:
[Xueping Xu, R. Vaudo, J. Flynn, G. Brandes]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 402-405
Format:
Artikel (online)
ID: 471148512