Comparative hall measurements on wet- and dry-oxidized 4H-SiC MOSFETs

Verfasser / Beitragende:
[K. Chatty, T. Chow, R. Gutmann, E. Arnold, D. Alok]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 356-360
Format:
Artikel (online)
ID: 471148539