Extended defects and polarity of hydride vapor phase epitaxy GaN
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[J. Jasinski, Z. Liliental-Weber]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 429-436
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: