Metal-organic vapor phase epitaxy growth and characterization of AlN/GaN heterostructures
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[S. Hubbard, D. Pavlidis, V. Valiaev, A. Eisenbach]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 395-401
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: