Ohmic contact formation on inductively coupled plasma etched 4H-silicon carbide

Verfasser / Beitragende:
[S. Lee, S. Koo, C. Zetterling, M. Östling]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 340-345
Format:
Artikel (online)
ID: 471148784