Barrier layer effect of tantalum on the electromigration in sputtered copper films on hydrogen silsesguioxane and SiO2
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[Wen-Li Sung, Bi-Shiou Chiou]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/5(2002-05-01), 472-477
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: