Point defects generated by direct-wafer bonding of silicon

Verfasser / Beitragende:
[L. Dózsa, B. Szentpáli, D. Pasquariello, K. Hjort]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/2(2002-02-01), 113-118
Format:
Artikel (online)
ID: 471148865