Highly concentrated ozone gas supplied at an atmospheric pressure condition as a new oxidizing reagent for the formation of SiO2 thin film on Si
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
[Kunihiko Koike, Shingo Ichimura, Akira Kurokawa, Ken Nakamura]
Ort, Verlag, Jahr:
2002
Enthalten in:
Journal of Electronic Materials, 31/2(2002-02-01), 108-112
Format:
Artikel (online)
Online Zugang: