cam a22 4 4500 530027267 CHVBK 20201001045639.0 150808s2018 xxu 10 eng|d 978-1-5386-5072-1 Print-on-demand 978-1-5386-5071-4 Online (OCoLC)1059138288 (NEBIS)011296997 SzZuIDS NEBIS ETH-BIB ger rda IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (31. 2018 Austin, Tex.) (DE-588)1169681158 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2018) Austin, Texas, USA, 19-22 March 2018 Piscataway, NJ IEEE [2018] ix, 217 Seiten Illustrationen Text txt rdacontent/ger ohne Hilfsmittel zu benutzen n rdamedia/ger Band nc rdacarrier/ger Online siehe IEEE Xplore Konferenzzählung: "31st ICMTS" - Original-Titelblatt BIPOLARE KOMPLEMENTÄRE MOS SCHALTUNGEN, BICMOS (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000042381 ethudk DEFEKTERKENNUNG + FEHLERERKENNUNG (ELEKTROTECHNIK) ger (ETHUDK)000049102 ethudk KOMPLEMENTÄRE METALLOXID-HALBLEITERSCHALTUNGEN, CMOS (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028120 ethudk MIKROELEKTROMECHANISCHE BAUELEMENTE, MEMS (ELEKTROTECHNIK) ger (ETHUDK)000048625 ethudk MIKROELEKTRONIK + INTEGRIERTE SCHALTUNGEN ger (ETHUDK)000028107 ethudk TRANSISTOREN/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000042993 ethudk Konferenzschrift Austin, Tex 2018 gnd-content u MIKROELEKTRONIK + INTEGRIERTE SCHALTUNGEN ger 621.3.049.77 nebis E1 u TRANSISTOREN/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELEKTRONIK) ger 621.382.323,1 nebis E1 u BIPOLARE KOMPLEMENTÄRE MOS SCHALTUNGEN, BICMOS (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.774.2,21 nebis E1 u KOMPLEMENTÄRE METALLOXID-HALBLEITERSCHALTUNGEN, CMOS (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.774.2,2 nebis E1 u MIKROELEKTROMECHANISCHE BAUELEMENTE, MEMS (ELEKTROTECHNIK) ger 621.3.04,2 nebis E1 u DEFEKTERKENNUNG + FEHLERERKENNUNG (ELEKTROTECHNIK) ger 621.3,3.004.64 nebis E1 u MICROÉLECTRONIQUE + CIRCUITS INTÉGRÉS fre 621.3.049.77 nebis E1 u MICROELECTRONICS + INTEGRATED CIRCUITS eng 621.3.049.77 nebis E1 u TRANSISTORS/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ELECTRONICS) eng 621.382.323,1 nebis E1 u TRANSISTORS/TEGFET, VFET, MODFET, MOSFET, MESFET, SGFET, ISFET, MISFET, HFET, JFET, CIGFET, POSFET (ÉLECTRONIQUE) fre 621.382.323,1 nebis E1 u CIRCUITS BIPOLAIRES DE SEMI-CONCUCTEUR COMPLÉMENTAIRE D'OXYDE DE MÉTAL, BICMOS (MICROÉLECTRONICS) fre 621.3.049.774.2,21 nebis E1 u BICMOS, BIPOLAR-COMPLEMENTARY-MOS-CIRCUITS (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.774.2,21 nebis E1 u CIRCUITS DE SEMI-CONCUDCTEUR COMPLÉMENTAIRE D'OXYDE DE MÉTAL, CMOS (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.774.2,2 nebis E1 u COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUITS, CMOS (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.774.2,2 nebis E1 u COMPOSANTS MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES, MEMS (ÉLECTROTECHNIQUE) fre 621.3.04,2 nebis E1 u MICROELECTROMECHANICAL COMPONENTS, MEMS (ELECTRICAL ENGINEERING) eng 621.3.04,2 nebis E1 u DEFECT RECOGNITION + FAULT RECOGNITION (ELECTRICAL ENGINEERING) eng 621.3,3.004.64 nebis E1 u DÉPANNAGE + RECHERCHE DE PANNES + DÉPISTAGE DES DÉFAUTS (ÉLECTROTECHNIQUE) fre 621.3,3.004.64 nebis E1 Institute of Electrical and Electronics Engineers (DE-588)1692-5 Mitwirkender ctb BK020800 XK020000 XK020000 E01-OS-ML-2018 nebis EO 055 E01-20181119 NEBIS E16 E16 RH RR 27500 NEBIS 111 2- IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (31 2018 Austin, Tex) (DE-588)1169681158 NEBIS 710 2- Institute of Electrical and Electronics Engineers (DE-588)1692-5 Mitwirkender ctb NEBIS EAD50 EBI01 E16 https://opac.nebis.ch/objects/pdf03/e16_978-1-5386-5072-1_01.pdf Titelblatt und Inhaltsverzeichnis VIEW pdf