cam a22 4 4500 530189542 CHVBK 20201001043543.0 130715s2018 xxu 10 eng|d 978-1-5386-4826-1 Print-on-demand 978-1-5386-4825-4 Online (OCoLC)1059445409 (NEBIS)011299050 SzZuIDS NEBIS ETH-BIB ger rda International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2018 Hsinchu) (DE-588)1169877915 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA 2018) Hsinchu, Taiwan, 16-19 April 2018 Piscataway, NJ IEEE [2018] 126 Seiten Illustrationen Text txt rdacontent/ger ohne Hilfsmittel zu benutzen n rdamedia/ger Band nc rdacarrier/ger Online siehe IEEE Xplore HÖCHSTINTEGRIERTE SCHALTUNGEN, VLSI (MIKROELEKTRONIK) ger (ETHUDK)000028112 ethudk Konferenzschrift Hsinchu 2018 gnd-content u HÖCHSTINTEGRIERTE SCHALTUNGEN, VLSI (MIKROELEKTRONIK) ger 621.3.049.771.15 nebis E1 u INTÉGRATION À TRÈS GRANDE ÉCHELLE, VLSI (MICROÉLECTRONIQUE) fre 621.3.049.771.15 nebis E1 u VERY LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS, VLSI (MICROELECTRONICS) eng 621.3.049.771.15 nebis E1 BK020800 XK020000 XK020000 E01-OS-ML-2018 nebis EO 055 E01-20181119 NEBIS E16 E16 RH RR 27526 NEBIS 111 2- International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2018 Hsinchu) (DE-588)1169877915 NEBIS EAD50 EBI01 E16 https://opac.nebis.ch/objects/pdf03/e16_978-1-5386-4826-1_01.pdf Titelblatt und Inhaltsverzeichnis VIEW pdf