Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InA1As/InGaAs/InP HEMT Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich
Gespeichert in:
Verfasser / Beitragende:
von Crispino Enrico Bergamaschi
Ort, Verlag, Jahr:
[S.l.] :
[s.n.],
1994
Beschreibung:
IV, 144 S. : Fig. ; 21 cm
Format:
Buch (Hochschulschrift)