Electronic Properties of Transferable Atomically Thin MoSe2/h-BN Heterostructures Grown on Rh(111)

Verfasser / Beitragende:
[Ming-Wei Chen, HoKwon Kim, Carlo Bernard, Michele Pizzochero, Javier Zaldı́var, Jose Ignacio Pascual, Miguel M Ugeda, Oleg V Yazyev, Thomas Greber, Jürg Osterwalder, Olivier Renault, Andras Kis]
Ort, Verlag, Jahr:
2018
Enthalten in:
ACS Nano, 12(11):11161-11168
Format:
Artikel (online)
ID: 563286458